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6116LA55DB

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Parte del fabricante
6116LA55DB
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
En stock
15432
Hojas de datos en línea
6116LA55DB PDF
  • serie:-
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Volatile
  • formato de memoria:SRAM
  • tecnología:SRAM - Asynchronous
  • tamaño de la memoria:16Kb (2K x 8)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:-
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:55ns
  • tiempo de acceso:55 ns
  • suministro de voltaje:4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • paquete de dispositivos del proveedor:24-CDIP
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