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SCT3120AW7TL

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Parte del fabricante
SCT3120AW7TL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
TRANS SJT N-CH 650V 21A TO263-7
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
En stock
12077
Hojas de datos en línea
-
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:21A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):-
  • rds en (máx.) @ id, vgs:156mOhm @ 6.7A, 18V
  • vgs(th) (máx) @ id:5.6V @ 3.33mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:38 nC @ 18 V
  • vgs (máx.):+22V, -4V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:460 pF @ 500 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):100W
  • Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-263-7
  • paquete / caja:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Transporte Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
InFortune envía los pedidos una vez al día alrededor de las 5:00 p. m., excepto los domingos.
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Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados ​​por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, el incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, la modificación del producto, la operación negligente o incorrecta.
Consulta

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