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CSD18536KTT

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Parte del fabricante
CSD18536KTT
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
En stock
13247
Hojas de datos en línea
-
  • serie:NexFET™
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:200A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:1.6mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:140 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:11430 pF @ 30 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):375W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:DDPAK/TO-263-3
  • paquete / caja:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Transporte Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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