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HCT7000M

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Parte del fabricante
HCT7000M
Fabricante
TT Electronics / Optek Technology
Descripción
MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
En stock
16408
Hojas de datos en línea
HCT7000M PDF
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:200mA (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:5Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • vgs (máx.):±40V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:60 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):300mW (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:3-SMD
  • paquete / caja:3-SMD, No Lead
Transporte Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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