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RGT8NS65DGC9

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Parte del fabricante
RGT8NS65DGC9
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
IGBT
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - simple
En stock
19816
Hojas de datos en línea
-
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):650 V
  • corriente - colector (ic) (max):8 A
  • corriente - colector pulsado (icm):12 A
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
  • potencia - máx.:65 W
  • energía de conmutación:-
  • tipo de entrada:Standard
  • carga de la puerta:13.5 nC
  • td (encendido/apagado) @ 25°c:17ns/69ns
  • condición de prueba:400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • tiempo de recuperación inversa (trr):40 ns
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-262
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