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UJ3D06504TS

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Parte del fabricante
UJ3D06504TS
Fabricante
UnitedSiC
Descripción
650V 4A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
diodos - rectificadores - simples
En stock
13352
Hojas de datos en línea
-
  • serie:Gen-III
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
  • voltaje - dc inversa (vr) (max):650 V
  • corriente - media rectificada (io):4A (DC)
  • voltaje - adelante (vf) (max) @ si:1.7 V @ 4 A
  • velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns
  • corriente - fuga inversa @ vr:25 µA @ 650 V
  • capacitancia @ vr, f:118pF @ 1V, 1MHz
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:TO-220-2
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220-2
  • temperatura de funcionamiento - empalme:-55°C ~ 175°C
Transporte Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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