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SIZF916DT-T1-GE3

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Parte del fabricante
SIZF916DT-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH DUAL 30V
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
En stock
11123
Hojas de datos en línea
SIZF916DT-T1-GE3 PDF
  • serie:TrenchFET® Gen IV
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:23A (Ta), 40A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:22nC @ 10V, 95nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
  • potencia - máx.:3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerWDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-PowerPair® (6x5)
Transporte Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados ​​por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, el incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, la modificación del producto, la operación negligente o incorrecta.
Consulta

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