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EMG3T2R

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Parte del fabricante
EMG3T2R
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
En stock
14847
Hojas de datos en línea
EMG3T2R PDF
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • corriente - colector (ic) (max):100mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50V
  • resistencia - base (r1):4.7kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):-
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:150mV @ 250µA, 5mA
  • corriente - corte del colector (máx.):500nA (ICBO)
  • frecuencia - transición:250MHz
  • potencia - máx.:150mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SC-75, SOT-416
  • paquete de dispositivos del proveedor:EMT3
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