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IMB9AT110

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Parte del fabricante
IMB9AT110
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
En stock
18157
Hojas de datos en línea
IMB9AT110 PDF
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Not For New Designs
  • tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • corriente - colector (ic) (max):100mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50V
  • resistencia - base (r1):10kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):47kOhms
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:68 @ 5mA, 5V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • corriente - corte del colector (máx.):500nA
  • frecuencia - transición:250MHz
  • potencia - máx.:300mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SC-74, SOT-457
  • paquete de dispositivos del proveedor:SMT6
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