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71V65603S100BQ

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Parte del fabricante
71V65603S100BQ
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
En stock
18388
Hojas de datos en línea
71V65603S100BQ PDF
  • serie:-
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Volatile
  • formato de memoria:SRAM
  • tecnología:SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • tamaño de la memoria:9Mb (256K x 36)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:100 MHz
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
  • tiempo de acceso:5 ns
  • suministro de voltaje:3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:165-TBGA
  • paquete de dispositivos del proveedor:165-CABGA (13x15)
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